大多数精神分裂症患者都存在一定的记忆损害问题 , 这种损害是广泛而非选择性的 ,并非是痴呆表现, 经常会影响到工作记忆、情节记忆、言语记忆、听觉记忆、空间记忆等。这种记忆的损害在发病早期就已经存在,可能与大脑的生理功能紊乱有关。一些研究认为,反复住院,病程迁延,精神症状严重,治愈率低,社会功能差,其记忆能力损害明显。
一项涉及27例精神分裂症患者的小型随机对照试验表明,与接受假治疗的患者相比,那些接受左右双侧前额皮层rTMS治疗4周的患者的工作记忆任务得分提高较大。此外,研究发现,得分的提高与一组健康志愿者类似。
加拿大安大略省多伦多大学精神病学系的首席研究员ZZafiris J. Daskalakis博士和他的同事写道,“工作记忆代表着一种核心认知区域,而精神分裂症恰恰是此区域受损,且目前尚无理想的治疗方法。”但研究人员也发现,与假治疗组相比,双侧20 HzrTMS治疗可显著改善工作记忆。具体地说,TMS可选择性改善反应精度。这次研究首次证实该人群出现这种类型的改善。
百济药师温馨提醒:目前来说,改善精神分裂症患者记忆,首先是应该积极治疗原有疾病,控制好精神症状,并选择副作用较小的药物,做到足量、足疗程全程治疗。